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1、晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。

2、它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。

3、输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得普遍的是TTL与非门。

4、TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件.晶体管是半导体三极管中应用广泛的器件之在电路中用“V”或“VT”(旧文字符号为“Q”、“GB”等)表示。

5、晶体管被认为是现代历史中伟大的发明之在重要性方面可以与印刷术，汽车和电话等的发明相提并论。

6、晶体管实际上是所有现代电器的关键活动(active)元件。

7、晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。

8、虽然数以百万计的单体晶体管还在使用，绝大多数的晶体管是和二极管|-{A|zh-cn、二极管。

9、zh-tw、二极体}-，电阻，电容一起被装配在微芯片(芯片)上以制造完整的电路。

10、模拟的或数字的或者这两者被集成在同一块芯片上。

11、设计和开发一个复杂芯片的成本是相当高的，但是当分摊到通常百万个生产单位上，每个芯片的价格就是小的。

12、一个逻辑门包含20个晶体管，而2005年一个高级的微处理器使用的晶体管数量达89亿个。

13、特别是晶体管在军事计划和宇宙航行中的威力日益显露出来以后，为争夺电子领域的优势地位，世界各国展开了激烈的竞争。

14、为实现电子设备的小型化，人们不惜成本，纷纷给电子工业以巨大的财政资助。

15、自从1904年弗莱明发明真空二极管，1906年德福雷斯特发明真空三极管以来，电子学作为一门新兴学科迅速发展起来。

16、但是电子学真正突飞猛进的进步，还应该是从晶体管发明以后开始的。

17、尤其是PN结型晶体管的出现，开辟了电子器件的新纪元，引起了一场电子技术的革命。

18、在短短十余年的时间里，新兴的晶体管工业以不可战胜的雄心和年轻人那样无所顾忌的气势，迅速取代了电子管工业通过多年奋斗才取得的地位，一跃成为电子技术领域的排头兵。

1、晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。

1、晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。

1、作用为、二极管可以作为单向的开关使用三极管则可以用过电流的放大通过三极管的拼接也可以进行逻辑的运算使用的芯片都是通过晶体管的拼接而组成的数字或者模拟电路晶体管内部的工作原理很简单，对基极PS2707-1与发射极之间流过的电流进行不断地监视，并控制集电极发射极间电流源使基极一发射极间电流的数十至数百倍(依晶体管的种类而异)的电流流在集电极与发射极之间。

2、就是说，晶体管是用基极电流来控制集电极一发射极电流的器件。

3、从外部来看，因为在基极输入的电流被变大而出现在集电极、发射极端上，所以可看成将输入信号进行了放大。

4、在实际的晶体管虽然有数千个品种，然而只是在大规格、电特性和外形等方面有所不同。

5、晶体管是将基极与发射极间流动的电流检测出来，进而控制集电极一发射极间电流的器件，所以只要使电流在基极与发射极之间流动，它就工作。

6、也就是说，设计一种外部电路使基极一发射极间电流流动就可以了。

7、扩展资料、晶体管的低成本、灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件，例如数字计算。

8、在控制电器和机械方面，晶体管电路也正在取代电机设备，因为它通常是更便宜、更有效地，仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的机械任务，使用电子控制，而不是设计一个等效的机械控制。

9、因为晶体管的低成本和后来的电子计算机、数字化信息的浪潮来到了。

10、由于计算机提供快速的查找、分类和处理数字信息的能力，在信息数字化方面投入了越来越多的精力。

11、今天的许多媒体是通过电子形式发布的，终通过计算机转化和呈现为模拟形式。

12、受到数字化革命影响的领域包括电视、广播和报纸。

13、频率特性晶体管频率特性参数，常用的有以下2个、(1)特征频率ft、它是指在测试频率足够高时，使晶体管共发射极电流放大系数时的频率。

14、(2)截止频率fb、在置换晶体管时，主要考虑ft与fb。

15、通常要求用于置换的晶体管，其ft与fb，应不小于原晶体管对应的ft与fb。

16、其他参数除以上主要参数外，对于一些特殊的晶体管，在置换时还应考虑以下参数、(1)对于低噪声晶体管，在置换时应当用噪声系数较小或相等的晶体管。

17、(2)对于具有自动增益控制性能的晶体管，在置换时应当用自动增益控制特性相同的晶体管。

18、(3)对于开关管，在置换时还要考虑其开关参数。

19、参考资料、百度百科——晶体管。

1、三极管：全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。 。

2、三极管的作用：晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管基本的和重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。。

3、晶体三极管工作原理：（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e（Emitter）、基极b(Base)和集电极c(Collector)。当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电子流。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：β1=Ic/Ib式中：β1--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：β=△Ic/△Ib式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。α1=Ic/Ie(Ic与Ie是直流通路中的电流大小)式中：α1也称为直流放大倍数，一般在共基极组态放大电路中使用，描述了射极电流与集电极电流的关系。α=△Ic/△Ie表达式中的α为交流共基极电流放大倍数。同理α与α1在小信号输入时相差也不大。对于两个描述电流关系的放大倍数有以下关系三极管的电流放大作用实际上是利用基极电流的微小变化去控制集电极电流的巨大变化。 [3] 三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常通过电阻将三极管的电流放大作用转变为电压放大作用。放大原理发射区向基区发射电子电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。基区中电子的扩散与复合电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。集电区收集电子由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。。

1、三极管：全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

1、三极管：全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

1、三极管：全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。