过来人的警告！大家如果要买手机的话一定要买内存空间256GB以上的男朋友现在用的iPhone 13，由于好面子，钱不够，所以买的128GB版本，根本都不怎么够用，可以看到，其中，手机内存占据大的APP就是微信，占据了45.88GB的内存，其次就是相片，占据了13.9GB的内存。剩下的就是系统数据占用12.21GB，iOS系统占用9.19GB，根本都不敢下载游戏啥的，每天都要删除照片。所以今天就带他去了小米之家看了一下别的手机，像Redmi K50和Redmi K50Pro就蛮不错的，配置甚至要比很多的旗舰机还要给力。其中Pro更是起步价2999元。这款手机搭载了天玑9000处理器，性能不比骁龙8差，甚至在功耗上还要比骁龙8更加的出色。另外，在充电速度上，这款手机拥有120W，即使充满5000mAh大容量电池也只要十几分钟。随后店员介绍起了标准版Redmi K50，说是这款手机的续航甚至要比iPhone 13ProMax的续航还要强悍。反观iPhone 13ProMax的续航不行，而且还的笨重。所以直接整了一部！

长焦是重点，CPU是重点，闪存内存规格是重点，所谓的外表不要重点介绍

【英伟达超算内存容量扩大500倍！“算力推动存力”逻辑兑现？】昨日，英伟达创始人黄仁勋在COMPUTEX 2023现场发布了重磅产品超级计算机DGX GH200。据介绍，DGX GH200共链接256个Grace Hopper超级芯片，能够提供1exaflop的性能、具有144TB的共享内存，相较2020年推出的上一代DGX A100，内存容量扩大了近500倍。AI推动下，一方面DRAM技术迭代以满足需求，另一方面HBM提供新的解决方案。 网页链接

显存对于显卡的性能影响大吗？安徽戴鑫信息技术有限公司，安徽戴鑫品质随行技术专业优质服务。今天给小伙伴们介绍一下，显卡的显存是什么？显存顾名思义就是显卡的内存，它是用来存储显示数据的重要硬件。当我们需要进行渲染或建模时，那么所需要的纹理和材质，就会存到显存当中。而开始工作之后，显存的核心就会提取这些数据。那么整个运行过程，跟我们电脑的运行，所以通俗点讲，可以把显存理解成我们电脑的内存。而显卡的核心，就可以比作是我们电脑的CPU，这样是不是就可以更理解了。所以显存对于显卡性能会有一点影响，但是远没有显示核心作用大。那么这也就是12G的3060，不如8G的3060ti的原因。而且在电脑行业还有一句话，显存不够内存来凑，当你显存不够的时候，系统会调用内存来临时充当显存，这也就是共享GPU的来源。关注我带你了解更多电脑小知识。点赞+关注+评论。

【內存空間管理：垃圾清理】各位老友記，今日介紹如何清理手機的垃圾。三星手機如果手機沒有原廠清理垃圾的工具，建議用「應用寶」，如圖一，在主要右下方按「我的」，然後啟動優化工作，完成後，如圖二，按左上方返回主頁，過程中並不需要任何深層清理等。小米、紅米、華為手機如果手機有手機管家或手機總管，只需在工具內按「垃圾清理」，如圖三，等待分析後，如圖四，確認清理，完成後，返回主頁。小結雖然 Avast 防毒軟件有清理垃圾的功能，但總是要求用家進一步作深層清理及升級，而且需要付費，所以，不宜使用 Avast 清理垃圾。#安卓手機# #老友記# #手機管理# #垃圾清理#

今天有幸参观了朋友所在的公司，他们公司是专业做服务器这一块，所以他们用的存储芯片主要有三星还有海力士和美光存储芯片，但他们公司主要用的三星存储芯片比较多，图片是三里存储芯片是64GB内存，听他介绍每片要人民币大概2600元，每盒25片乘2600每盒65000元这玩意也太挣钱了吧！[泪奔][泪奔]#内存的简介#

Nano Lett.：基于极性可控二维晶体管的可重构内存逻辑计算研究背景如今，数据密集型应用的出现给集成电路带来了越来越大的挑战。一方面，由于物理限制，MOSFET不断缩小，硅基技术正接近尾声。另一方面，冯·诺伊曼计算架构，其中的处理和存储单元在物理上是分开的，在处理日益增长的海量数据时遇到了性能瓶颈。大量的数据必须在处理和存储单元之间来回传输，导致不必要的能量和时间消耗，甚至比计算本身还要大。因此，迫切需要在材料和器件层面进行突破性创新，以满足数据密集型应用对高性能和节能的要求。由于层状2D材料具有原子级厚度、无悬键界面和丰富的电子结构等独特性质，有望将摩尔定律的工艺节点扩展到1 nm栅极长度。受硅技术内存逻辑计算(通常被称为将逻辑运算集成在存储单元中的融合技术)成功的启发，基于2D材料的各种器件结构，如浮栅场效应管(FGFET)或铁电场效应管(FeFET)，已被开发用于执行内存逻辑行为。这些创造性的设计可以大大减少处理器和存储器之间的传输过程，从而在很大程度上避免了数据移动带来的能量消耗和延迟。此外，2D材料可用于小尺寸器件，通过在单个器件中构建逻辑功能，在减少晶体管资源方面具有很大的优势。由静电场控制的极性使它们能够赋予可重构的逻辑功能，以进一步提高面积效率。因此，基于2D材料的具有嵌入式逻辑功能的可重构内存逻辑晶体管将在下一代计算架构中发挥关键作用。成果介绍有鉴于此，近日，复旦大学张增星教授和周鹏教授（共同通讯作者）等证明了基于WSe2/h-BN/石墨烯的中间浮栅场效应晶体管可以在不同的电流水平下工作，这是因为控制栅极、浮栅和漏极电压的极性是可控的。这种电可调特性被用于内存逻辑架构，并且可以在单个器件中作为AND/XNOR的可重构逻辑功能。与浮栅场效应晶体管等传统器件相比，本文的设计可以大大降低晶体管的消耗。对于AND/NAND，将晶体管数量从4个减少到1个，可以节省75%的晶体管，对于XNOR/XOR，甚至可以达到87.5%，数量从8减少到1。文章以“Reconfigurable Logic-in-Memory Computing Based on a PolarityControllable Two-Dimensional Transistor”为题发表在著名期刊Nano Letters上。