h-BN基忆阻电路中每种缺陷类型的作用研究背景2D层状材料(LM)在固态纳/微电子电路中的晶圆级集成引起了业界的广泛关注，因为2D-LMs有望提高电路的性能并扩展其功能。然而，该领域的大多数研究只报道了器件级别的性能，在好的情况下测量一个/几个孤立器件的所有品质因数。一些研究将2D-LMs制成的少数场效应晶体管(FET)与构建逻辑门、运算放大器和图像识别系统相关联，然而，在所有情况下，集成密度都小，即少数（100 µm2)器件，并且实现的操作简单。在上述所有研究中，电流沿2D-LM（即面内）水平流动，并且已经证明晶界(GB)、褶皱和聚合物残留可以在不可控的情况下显著改变器件的性能。很少有研究报道关于良率和器件间变化性的统计信息，并且那些做了这些的研究无法获得足以与CMOS技术竞争的值。成果介绍有鉴于此，近日，苏州大学Mario Lanza教授团队研究表明忆阻器对2D-LMs中大多数类型的缺陷不敏感，即使器件是在不符合工业标准的学术实验室中制造的。原因是这些器件中产生的电流在平面外流过2D-LM，总是由导电的位置局部驱动。因此，得出的结论是，使用忆阻器比使用晶体管或忆阻晶体管更容易制造2D-LMs基固态纳/微电子电路，不仅因为固有的更简单制造工艺（即更少的光刻步骤），而且局部缺陷不会显著降低忆阻器的良率和变化性。文章以“Variability and Yield in h-BN-Based Memristive Circuits: The Role of Each Type of Defect”为题发表在期刊Advanced Materials上。#cmos简介#

一张手机照片是如何诞生的？传的神乎其神的华为RYYB又是啥？其实照片生成流水线：镜头→传感器→芯片，多懂一些，看你的钱都花在哪里了？以上简单理解也就是外界的光线和画面经过镜头进入手机后，就要经过图像传感器来转化成电信号，再让手机芯片运算把电信号转化为图片显示在屏幕上，再深入解释就是：光学镜头→CMOS→ISP→定制算法，大致和大家分享这4个环节的理解：1、光学镜头：负责抓光，可理解镜头越多成像越好，一般常见的7P、8P镜头，其中P就是塑料镜头的意思；也有7P1G，这个G就是玻璃镜头；2、CMOS（图像传感器）：负责把光信号转为电信号给芯片处理，可理解传感器尺寸越大越好，比如常见旗舰手机IMX989，就是索尼的一个CMOS型号，“底大一级压死人”中的大底就是传感器的尺寸，IMX989的尺寸就是1/1英寸，IMX766尺寸是1/1.56英寸，通过比较，就知道IMX989传感器尺寸更大，进光量更多，背景虚化越真实，拍照就越好；这里插一句，大家经常说很牛的华为RYYB是啥呢？其实就是传感器的像素排列，也就是以2个黄色像素（Y）代替2个绿色像素（G）构成RYYB传感器，这个感兴趣的话，之后再给大家介绍。3、ISP：负责处理CMOS给它的电信号，一般ISP集成在芯片上（比如骁龙8G2)，也有厂商自研ISP让这个处理过程更快更好，比如是小米的澎湃C1芯片，蓝厂的V2芯片、绿厂的马里亚纳X芯片；4、定制算法：就是在ISP处理好照片，定制算法介入针对性的优化，它就是个美颜大师，比如小米的徕卡模式、夜枭算法，蓝厂绿厂的美颜算法、华为的夜景算法等，行业早期或者一些中低端手机直接购买虹软的算法，早的锤子手机就是；#手机摄影# #华为# #小米手机# #数码爱好者# #头条创作挑战赛#

尽管Micro LED技术近年来发展迅猛，但其仍是一项处于发展初期的技术，规模化量产和应用仍需时间。因此，核心技术难题的解决便是Micro LED实现进一步发展的重要任务。会议上，孙雪超介绍了Micro LED四大核心发展趋势。1. Micro LED芯片技术主要包括尺寸、像素排列、LED色彩转换。尺寸方面，当下，Micro LED芯片尺寸正在进一步微缩，而这一趋势需要工艺与设备的同步支撑。另一方面，为了降低芯片微缩后的切割、边缘效应等难题，未来Micro LED将走向无衬底方向。像素排列方式方面，目前主流技术是横向排列和纵向堆叠。LED色彩转换技术则是为了应对Micro LED芯片微缩后的光效降低问题。其中，量子点色转换技术被认为是解决Micro LED显示所面临的红光LED低光效、巨量转移等难题的候选技术路线之一。目前，该技术有两种实现方式：电致发光量子点技术、光致发光量子点芯片技术。2. 封装技术COB/COG技术近年来得到广大LED显示厂商的重视，但该技术对转移良率、模组基板精度要求较高，目前在良率、一致性和可量产性还需要改良，存在较大成长空间；而MiP/IMD在避免COB/COG的高要求的同时，又能解决混光、分bin等问题，是当下Micro LED主流封装与应用路径。利晶微由利亚德与晶电共同出资成立。该公司的MIP封装技术已逐渐成熟，产能达800KK/月，且目前已在进行2023年扩产计划，第一季度已完成1400KK/月产能建制，2023年底产能将突破2000KK/月。3. 巨量转移当下，巨量转移主要有接触式和非接触式两种技术方案。其中，接触式又包含了取放式巨量转移（技术成熟、良率高、效率低）、刺晶方案（效率高、外延损伤小）、弹性印章（较成熟，但单次转移面积小，多用于智能穿戴、手表、眼镜等小型显示终端）；非接触式主要是激光式转移，该技术是当前巨量转移的热点方向，符合未来无衬底Micro LED大批量转移的趋势。4. 驱动和控制近年来，PM驱动方式得到快速发展。该技术能实现高度集成化、超低功耗、超高刷新率，且性价比也在逐步提升，但PM驱动芯片主要采用PWM扫描方式工作，存在闪烁等问题，在某些应用领域受到限制；AM驱动理论上更具有潜力，但在Micro LED大尺寸显示中，AM驱动面临成本高的问题，行业成熟度不够，需进一步发展与优化；而在微尺寸Micro LED显示中，硅基CMOS AM驱动已经成为主流驱动方式。

佳能全画幅微单，4K拍摄数码相机R6。大家好，我是爱摄影的艳子。今日给大家介绍一款佳能全画幅微单，4K拍摄数码相机R6。每合金机身重量680克，对焦系统全像素双核CMOSAF，像素2，010万，支持Wifi蓝牙，3英寸旋转触摸屏使用更方便。ISO100-102，400，双SD卡槽存储无忧。电池续航250张，试用对象中高级。功能反转自拍五轴防抖，4K视频Wifi高速连拍，每秒20张清晰捕捉刹那瞬间，1，053个自动选择对焦框，高感画质优越。今日这台R699新，老客户自用升级，使用次数少快门几千张，包装保卡齐全一切功能正常无维修。原厂电池肩带说明书保修卡都在，喜欢的联系我吧。这样的精品买着放心，只发精品大家使用放心。北京的影友可到店自提！外地影友包邮到家！

石墨烯吸收体上的等离激元纳米颗粒，用于宽带高响应率2D/3D光电二极管成果介绍为了克服由CIS (CMOS图像传感器)技术的高分辨率趋势导致的像素小型化所导致的图像劣化，需要一种基于与现有器件结构不同增强机制的光电二极管。有鉴于此，近日，韩国科学技术院Sung-Yool Choi等报道了由金纳米颗粒/单层石墨烯/n型三层MoS2/p型Si组成的光电二极管，由于2D/3D异质结造成的空间限域的窄耗尽宽度(DW)，实现了28.6 ns/30.4 ns的超快上升/下降时间。为了弥补由于窄DW而导致的低吸光度，在单层石墨烯上引入等离激元金纳米颗粒，揭示了在420-730 nm的光谱范围内宽带增强的EQE平均为187%，在5 nW的520 nm波长下大EQE达到847%。本文通过多物理场模拟进一步研究了宽带增强，并讨论了石墨烯中的载流子倍增，以解释反向偏置光电二极管超过EQE的原因。图文导读图1. 器件结构和材料表征。图2. W/O AuNPs和AuNPs的电流-电压(I-V)特性和器件能带图。图3. 在520 nm波长激光照射下W/O AuNPs和AuNPs的光电特性。图4. 波长相关的光电性质。图5. 在AuNP中增强EQE的机制。图6. 光电二极管的超快响应时间。文献信息Plasmonic Nanoparticles on Graphene Absorber for Broadband High Responsivity 2D/3D Photodiode(ACS Nano, 2020, DOI:10.1021/acsnano.3c00566)文献链接：网页链接

CMOS-MEMS洛伦兹力磁力计的设计、制造、表征和可靠性研究近日，一支由加泰罗尼亚理工大学和巴塞罗那自治大学的研究人员组成论文中介绍了几种使用标准的CMOS工艺制造微机电系统（MEMS）的设计技术，可用于制造高良率的CMOS-MEMS洛伦兹力。尽管CMOS不是用于MEMS制造的常用工艺，但这款CMOS-MEMS洛伦兹力磁力计的性能（灵敏度和噪声级）与当前商用磁力计和其他使用MEMS工艺制造的磁力计相当，甚至更好。当今，CMOS技术是大规模生产半导体器件常用的技术。商用传感器的专用集成电路接口也使用该技术实现。然而，传感元件则需要使用专门的微加工工艺制造。对于许多应用而言，与其他集成方法相比，将CMOS电子元件和MEMS元件集成在单颗芯片（CMOS-MEMS）使其得到了一定程度的发展，通常根据MEMS元件的构建先后顺序（与CMOS电路相比），可以将CMOS-MEMS技术分为以下几类：（1）Pre-CMOS（MEMS before CMOS）：MEMS在CMOS之前构建。完成后，晶圆可以进行标准CMOS工艺。MEMS不受CMOS热预算限制，但必须与后续标准CMOS工艺步骤兼容。不幸的是，CMOS代工厂往往不愿意使用经过MEMS工艺的晶圆。（2）Intra-CMOS（MEMS between FEOL and BEOL）：CMOS工艺被中断以进行MEMS工艺。同样地，需要与CMOS代工厂密切合作，有一些产品正在量产中。（3）Post-CMOS（MEMS after CMOS）：MEMS在标准CMOS工艺完成之后构建，因此CMOS代工厂不需要修改标准工艺。然而，MEMS工艺不能超过CMOS热预算，这限制了MEMS工艺的选择。● MEMS on top：台积电（TSMC）、XFAB、UMC和DALSA等几家代工厂以及IMEC的SiGe MEMS遵循了这条路线。德州仪器（TI）的数字微镜器件（DMD）是另一个众所周知的例子。● BEOL CMOS-MEMS：值得注意的是，CMOS-MEMS器件可以通过已完成CMOS工艺的后道工艺（BEOL）层来构建。这种方法大限度地减少了后处理工艺的步骤，也是本项研究中讨论的方法。目前，所有商用磁力计都是非洛伦兹力原理，通常基于霍尔效应、各向异性磁阻（AMR）、巨磁阻（GMR），或近的隧道磁电阻（TMR），也称为磁性隧道结（MTJ）。它们往往都有某种磁性材料，比如磁通量集中器。磁性材料可能会被高磁场损坏，受到温度限制和磁滞影响，这反过来可能会导致精度降低，从而需要用户进行繁琐的重新校准这项研究中使用的CMOS-MEMS工艺是采用标准6-metal 0.18μm CMOS工艺的后道工艺（BEOL）来构建MEMS。虽然制造过程很简单，但使用BEOL作为结构层存在重要缺陷，例如不可重复性、过度弯曲和蠕变。此外，尽管金属间电介质（IMD）氧化物刻蚀速率是均匀的，但vHF刻蚀沿着金属高度催化，导致了不良的失控刻蚀，这增加了水平刻蚀速度，并大大降低了刻蚀的各向同性。图片CMOS BEOL工艺和post-CMOS密封层研究人员设计、制造并表征了三轴洛伦兹力磁力计：推导出精确预测多层固支梁的品质因子和共振频率随温度、设计参数和气压（从1bar到1μbar）变化的方程，并进行了实验验证。正如有限元模拟所证实的，热弹性阻尼（TED）是低压下的主要阻尼机制。气体粘度解释了空气阻尼区品质因子随温度的变化。热应力解释了共振频率随温度的变化。图片x轴和y轴磁力计的3D透视图：垂直谐振图片z轴磁力计的3D透视图：横向谐振尽管CMOS技术不是MEMS专用工艺，但当使用600μA电流时，CMOS-MEMS QFN封装器件的布朗噪声在9.5-15nT/√Hz之间。封装的磁力计用作罗盘时，可以实现大约低至0.045°/√Hz的航向精度，这与使用MEMS专用工艺制造的商用磁力计和先进的三轴洛伦兹力磁力计的性能相当或更好。此外，其传感器面积是三轴MEMS磁力计中小的。使用本研究工作中未制造的更长梁或更高的洛伦兹电流可以实现更低的噪声水平。良率通常是MEMS产品的主要关注点之一。研究人员证明QFN封装的CMOS-MEMS洛伦兹力磁力计的终良率可以达到95%左右。此外，一些器件变体能够承受高的温度（450℃/30分钟和400℃/1小时），并且没有或几乎没有良率损失。总之，使用适当的设计技术，CMOS-MEMS器件的性能有可能与商业产品相当或更好。论文信息：网页链接