针对小浓度水合物电解质的硼氮化物纳米管阳极无水定位前言：水合物盐电解质（WISE）系统的特点是在水介质中存在大量的盐，盐的浓度高，以至于盐的重量和体积都超过水，并且阴离子替代了阳离子的水合壳中的一些水分子。对于"溶剂在盐中"类型系统的研究已有很长历史，直到发现WISE可以增强水性Li离子和Na离子电池的电化学性能。使用21 m浓度的LiTFSI盐的LiTFSI WISE系统时，水性Li离子电池的电化学稳定窗口尺寸显著增加。对于如此高浓度的LiTFSI盐，TFSI-离子能够替代Li+阳离子的溶剂壳中的一些水分子，LiTFSI WISE系统上加压后，Li+离子对负极的吸引力不可避免地将一些强烈吸引的TFSI-离子吸引到阳极。本文使用分子动力学（MD）模拟来研究水合物盐电解质（WISE）系统中阴离子在阳极附近的无水定位，通过将LiTFSI WISE系统限制在硼氮化物纳米管（BNNTs）中，实现在较小的盐浓度下阴离子的定位。TFSI-离子优先进入纳米尺度的BNNTs中，形成有序结构，其特征是TFSI-离子和水分子的轴向不重叠和重复浓度峰。为TFSI-离子的尺寸与1纳米宽的BNNT直径相似。这种情况结合TFSI-离子进入BNNT的较强亲和力，导致在负极附近形成无水的TFSI-浓度峰。在施加了高达5 V的电压的情况下，TFSI-离子进入BNNT的亲和力不会被抵消。在这种情况下，如果使用预锂化的负极，TFSI-离子而不是水分子将在阳极上被还原，从而形成SEI层。限制效应与TFSI-离子进入BNNT的较高亲和力的相互作用，使TFSI-离子和水分子形成有序结构，从而在预锂化负极的存在下实现了无水定位，并形成了稳定的SEI。在1纳米直径的BNNT分别浸泡在5 m和10 m的水溶性LiTFSI模拟中，TFSI-离子首先进入BNNT，然后是水分子和Li+离子，它们显示了5 m和10 m LiTFSI在1纳米直径的BNNT中的填充过程。当将1纳米直径的BNNT的一端靠近电极时，另一端打开给电解质，我们可以利用与1纳米直径BNNT相关的尺寸效应，同时将TFSI-离子推向该电极的附近，并将水分子远离该电极附近，从而实现无水的TFSI-离子定位。在直径为1.4纳米的BNNT中，限制在10 m和5 m的WISE系统中，表征TFSI-离子、Li+离子和水氧原子径向分布的峰值在径向距离范围上分布得更广，这是由于约束效应的减弱所致。水和TFSI-离子轴向密度分布重叠以及为什么TFSI-离子无法阻止水到达放置在1.4纳米直径BNNT一端的电极表面，而BNNT的另一端保持对大量电解质开放。水氧原子的径向分布出现了两个独立的峰值。靠近BNNT轴线（即较小的r值）的第一个峰值对应于不与TFSI-离子在同一轴向位置的水（水在给Li+离子提供水合作用）；远离BNNT轴线的第二个水峰值对应于与TFSI-离子在同一轴向位置的水。在1.4纳米直径的BNNT中，与1纳米直径BNNT中不同的是，约束效应的减弱TFSI-离子的长尺寸不与BNNT轴向平行，导致TFSI-离子的不同原子的径向分布中出现多个峰值。通过充分利用TFSI-离子相对于其他电解质离子和分子更容易进入1纳米直径BNNT的亲和性以及1纳米直径BNNT所带来的严重纳米限制效应，能够创造出一个引人注目的情景。使用部分预锂化的负极，那么可能能够TFSI-离子的还原以及SEI的形成，并防止水在负极附近发生还原。将阳离子-阴离子对无水定位在负极附近一直是使用WISE系统的广泛目标。要实现阴极附近的阳离子-阴离子对定位，通过使用适当的纳米约束（1纳米直径BNNT）并利用TFSI-离子比其他组分更容易进入1纳米直径BNNT的趋势，能够在较小（5-10 m）浓度的LiTFSI盐条件下实现TFSI-离子在负极附近的定位。结论：利用分子动力学模拟提出了一种引人注目的可能性，即使用纳米级BNNT和TFSI衍生盐的水溶液，可以实现阴离子在负极附近的无水定位。通过利用纳米级BNNT引起的纳米限域效应，观察到在盐浓度较小（5和10 m）的情况下，TFSI−阴离子在负极附近实现了无水定位。

研究进展：阴离子化学-储能 | Nature Reviews Chemistry阴离子Anions作为电解质的重要组成部分，其作用长期受到忽视。然而，自2010年代以来，在一系列能量存储器件中，阴离子化学研究有了相当大的增长，并且现在还可以很好地调控阴离子，从而在许多方面有效地改良这类器件的电化学性能。近日，中国 香港心脑血管健康工程研究中心(Hong Kong Centre for Cerebro-cardiovascular Health Engineering, COCHE) Zhaodong Huang, Xinliang Li，Chunyi Zhi等，美国 俄勒冈州立大学（Oregon State University）Xiulei Ji等，在Nature Reviews Chemistry上发表综述文章，讨论了在各种储能器件中，阴离子化学的作用，并阐明了阴离子性质与其性能指标之间的关系。还强调了阴离子对表面和界面化学、传质动力学和溶剂化鞘层结构的影响。后还展望了在提高储能器件的比容量、输出电压、循环稳定性和抗自放电能力方面，阴离子化学研究的挑战和机遇。图1:阴离子对各种储能器件的影响，以及典型阳离子和阴离子半径的里程碑式研究。图2:阴离子对超级电容器电化学性能的影响。图3:阴离子对双离子电池电化学性能的影响。图4:阴离子对阳离子充电电池和金属-氧和金属-硫电池的电化学性能影响。图5 阴离子对表面-界面化学和传质动力学的影响。图6:阴离子对电化学稳定窗口和溶剂化鞘层结构的影响。文献链接网页链接网页链接本文译自Nature。

昨天我讲了SOD，那么SOD到底有什么作用呢？超氧化氰化酶（SOD）是一种金属蛋白酶，含有铜、锌、铁和锰等元素，广泛存在于动物、植物和微生物中。它具有催化、消除超氧、阴离子自由基的作用，可以平衡机体内的氧自由基，被誉为生物体抗氧化系统的第一道防线。SOD是一种可外源补充的功能性物质，经中华人民共和国卫生部认证，具有抗衰老免疫、调节血脂、抗辐射美容等多种功效。SOD已被列入中华人民共和国药典，既可药用又可食用。

1、什么是电解质水：电解质水指的是富含有多种离子和微量元素的水。2、举个栗子：水中结合的电解质有阴离子和阳离子。阳离子以纳离子、钾离子、钙高子、磷离子四种为主。可以用用盐水、柠檬水或番茄汁制作。3、电解质水的功能：电解质水一般酸碱度在 7.35-7.45 之间，多喝富含电解质的水对身体有好处，可以调节人体酸碱度，可充分补充体内的维生素和微量元素，对机体的代谢功能起到良性循环。4、简单做法：（1）盐水：将少量食盐倒入温水内，搅拌均匀后即可完成；（2）柠檬水：将柠檬洗净切片，按比例加入食盐和糖，倒入温水，搅拌均匀；（3）番茄汁：将番茄洗净切块，放入榨汁机，加入温水、食盐、冰糖或蜂蜜，榨汁即可饮用。

聚丙烯酰胺：阴离子/阳离子/非离子。聚丙烯酰胺投加过量会怎样以及如何解决？聚丙烯酰胺是很好的水处理净水剂，属于高分子聚合物主要用作污泥脱水剂，对应的水处理效果很好。当水处理的絮凝效果达到佳时，要随意增加聚丙烯酰胺溶液的浓度和用量。假如投加过量水就会变得粘稠，此时絮凝剂不会聚集在一起沉淀在水中，而且很容易堵塞过滤器和管道等设备。不仅会起到负效应还会使絮体流动性变差，甚至严重时变成凝胶而无法使用。所以大家在使用聚丙烯酰胺的时候，一定要注意该产品的添加量。旦使用过量不仅起不到好的处理效果，反而会导致粘滤布或更不好的现象出现。一般建议污水处理之前，应该按照规范的处理流程，先采样进行试验然后在进行现场试验，确定药剂型号及投加用量，在专业污水处理工程师的指导下进行操作。感谢关注！

知道五官是病毒侵犯人体的主要通道。想了个办法，每天用阴离子喷鼻以及咽喉，希望能阻止病毒侵入，眼睛是无法喷的，尽量不去揉就是。周围的人都陆续倒下，正在暗自庆幸，终于未能幸免。第一天全身酸痛，主要是双侧膝关节宽关节以及大腿肌肉还有就是恶寒。好像没有发热，体温没量，没有咽痛，没有鼻塞流鼻，没有咳嗽。说好的上呼吸道，怎么跑到下肢去了？见招拆招，装一大浴缸热水，加一调匙阿司匹林粉。一天就泡了三次。次日起来关节肌肉不痛了，全身轻松舒爽。咽部似乎开始有点不试，赶快用阴离子喷咽部，让阴离子在咽部浸润一会排出一些灰色分泌物。咽痛终于没有发展起来。继续喷鼻喷喉。#阴离子简介#

阳离子和阴离子亚晶格的排列方式使材料中不存在净极化。在纤锌矿晶体（如InN，氮化镓，AlN）中，阳离子和阴离子亚晶格的排列可以是这样的，从理想位置相对运动，在晶体中产生“自发极化”，这对异质结构变得重要。除了自发极化外，还有另一种可以导致材料中极化的现象。应变会引起阳离子和阴离子亚晶格之间的相对位移，并在材料中产生净极化。这就是压电效应。值得注意的是，对于所有这些样品，当温度不是极高时，孔穴浓度远低于有效受体浓度NA−ND，因为深受体在较低的温度下没有完全电离。然而，当阳离子键的长度导致偏离这种关系时，就产生了一个净自发极化。异质界面上的极性电荷如果一个亚晶格相互净运动，则建立极化场。这就产生了正负极性电荷。在大多数情况下，自由表面的极性电荷被大气中存在的电荷中和。这就导致了材料的去极化。但是，如果合成了一个异质结构，并且形成该结构的两种材料具有不同的极化值，则在界面上存在一个净极性电荷（和极化）。在AlGaN/GaN HFETs中，由于应变AlGaN的压电极化和界面自发极化的不连续，在异质界面形成固定片电荷。为了筛选AlGaN/GaN结处的净正电荷，形成了一个2DEG。同样的效果也可以用于创建一个大块的三维电子板。这是通过从氮化镓分级到AlGaN来实现的，从而将极化诱导的电荷扩散到分级区域。极化诱导的载流子密度ρπ由方程ρπ =∇·P给出；这里P是材料中的总极化。由于AlGaN的组成和极化被Vegard定律近似，任何期望的信道电荷有效文件都可以通过选择得到。这种极化诱导的通道电荷，可以被一个称为极化掺杂FET的结构中的门来调制，或PolFET，可以用来定制PolFET的gm-Vgs性能文件。这类似于掺杂杂质的MESFETs，其中gm-Vgs文件被掺杂文件设计修改。压电效应如上所述，当一个结构处于应变状态下时，就会产生净极化——这种现象被称为压电效应。由应变引起的极性电荷的值取决于应变张量。在前文中，我们已经讨论了在应变外延（即在相干生长状态下）中的应变张量的性质。由于与应变相关的压电效应和自发极化，氮化物异质结构在界面上具有极化电荷。对于沿（0001）方向生长，相干应变在第一章给出了纤锌矿晶体的应变张量。然而，压电效应只在应变张量具有非对角分量时发生。压电效应可以用来在材料中产生高达1013厘米−2的界面电荷密度。除了由应变引起的极化外，阳离子和阴离子亚晶格也会自发地相互位移，产生额外的极化。对于异质结构，不同的自发极化出现在界面上，如前所述。我们提供了AlN、氮化镓和InN的自发极化值。不同氮化镓样品的电特性随温度的函数。片荷低的样品掺杂Si（氮化镓中的浅层供体）以产生移动电子。在薄片电荷高的样品中，将AlGaN从0% Al分级到30% Al，产生载流子，得到三维电子分布。硅掺杂样品中的电荷随着温度的降低而降低（载流子冻结），而其他两个样品中的电荷保持不变。这对应于密度为6。06×1012cm−2电子充电。在界面产生的总电荷（固定）是两个电荷的和。在许多应用中，我们需要在自然发生的材料中无法获得的带隙或载流子特性。通过使用合金和量子阱，可以调整电子特性。合金的电子性质是由两种或两种以上材料的组合制成的，可以用来创建新的带隙或晶格常数。对于五阶，电子性质也由类似的关系给出。考虑一种由材料A制成的能带结构由EA (k)，给出和B带结构，由EB (k)给出的能带结构的合金AxB1−x。注意，能量平均是在相同的k值下进行的。如果我们用直接和间接材料制造合金，我们不是简单地平均带隙来得到合金带隙。相反，在相同的k值下的带隙被平均，然后带隙由传导能和价能之间的小能量差给出。根据上面的公式，合金的有效质量平均为1m∗all=xm∗A +（1−x）m∗B。值得注意的是，合金具有固有的无序，因为它们具有原子的随机排列。这就导致了下一章将讨论的与无序相关的散射。本文分享的内容到此结束，如有疑问，可在评论区提问。参考文献：【1】高光效硅衬底GaN基黄光发光二极管发光性能研究[D]. 陶喜霞.南昌大学,2018【2】硅基光电探测器及其应用[D]. 陈冠宇.华中科技大学,2018